Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Трехмерная флэш-память: BiCS FLASH™


Дальнейшее увеличение емкости флэш-памяти

Компания Toshiba изобрела флэш-память NAND в 1987 г. и первой начала ее массовое производство в 1991 г. С тех пор Toshiba последовательно повышала емкость флэш-памяти NAND путем уменьшения технологических норм и топологических размеров.

Однако переход на более тонкий процесс сопряжен с различными трудностями. Продолжать повышать емкость флэш-памяти, используя традиционную планарную технологию NAND, становится чрезвычайно сложно.

Для решения этой проблемы компания Toshiba изобрела новую компоновку, предусматривающую многослойное размещение чипов памяти. В 2007 г. Toshiba впервые *1 объявила о создании технологии трехмерной (3D) компоновки чипов флэш-памяти. В результате дальнейших исследований Toshiba выпустила новую флэш-память 3D BiCS FLASH™

Назначение

Благодаря появлению Интернета вещей (IoT), широкому распространению социальных сетей (SNS), а также фото- и видеосъемке во все более высоком разрешении мировой объем генерируемых данных растет по экспоненте.
 

В сфере обработки данных производительность в режиме реального времени считается важным требованием, т. к. системы обработки должны справляться с громадным количеством информации, а центры обработки данных и облачные сервисы должны хранить их неопределенно долго. Чтобы обрабатывать и хранить большой объем информации, а также управлять им с высокой скоростью передачи и низким энергопотреблением, необходимы хранилища высокой емкости.

Кроме того, растет спрос на устройства хранения данных с низким энергопотреблением для использования в смартфонах, планшетах, картах памяти и других устройствах, где энергопотребление играет большую роль.

Технология BiCS FLASH обеспечивает множество преимуществ по сравнению с флэш-памятью NAND, произведенной по планарной технологии. BiCS — это решение, которое удовлетворит будущие запросы рынка.

Особенности BiCS FLASH

Высокая плотность и высокая емкость

高密度化/大容量化のイメージ

The vertically stacked three-dimensional (3D) flash memory, BiCS FLASH, has far higher die area density compared to the prior state-of-the-art technology, two-dimensional (2D) NAND flash memory. Moreover, BiCS FLASH reduced the chip size by optimizing both circuit technology and manufacturing process. 96-layer BiCS FLASH, which is announced on June 28th, 2017, provides approximately 1.4 times the storage capacity per unit area compared with 64-layer BiCS FLASH.

Высокая скорость программирования

高速化のイメージ

Промежутки между ячейками памяти BiCS FLASH значительно шире, чем у флэш-памяти 2D NAND. Это позволило повысить скорость программирования путем увеличения количества данных, передаваемых за одну программную очередь.

Высокая надежность

信頼性向上のイメージ

Широкие промежутки между ячейками BiCS FLASH снижают паразитные наводки на соседние ячейки и увеличивают надежность в сравнении с флэш-памятью 2D NAND.

Низкое энергопотребление

低消費電力化のイメージ

Технология BiCS FLASH позволила снизить удельное энергопотребление на единицу программируемых данных путем увеличения количества данных, программируемых за одну очередь, в сравнении с флэш-памятью 2D NAND (т. е. повысилась скорость программирования).

Видеоролики

  • *1 По состоянию на 12 июня 2007 года (согласно анонсу от компании Toshiba).
  • Все прочие названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые в этом документе, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

Links

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.