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業界初、UFS Ver. 3.0準拠の組み込み式フラッシュメモリの出荷について

2019年 1月23日
東芝メモリ株式会社

モバイル機器などに求められる高速のリード・ライト性能や低消費電力を実現する大容量ストレージ

業界初、UFS Ver. 3.0準拠の組み込み式フラッシュメモリ

当社は、業界で初めて[注1] JEDEC UFS[注2] Ver. 3.0インターフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリ(UFS製品)を開発し、本日からサンプル出荷を開始します[注3]。新製品は当社最新の、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を搭載し、512GB[注4]、256GB、128GBの3つの容量タイプをラインアップします。高速のリード・ライト性能や低消費電力が求められるスマートフォン、タブレットなどのモバイル機器や、VR/AR[注5]用機器などのストレージ製品として対応可能です。
 

新製品は、11.5mm x 13.0mmのパッケージにフラッシュメモリチップとコントローラーを内蔵した制御機能付きの組み込み式フラッシュメモリ製品です。コントローラーでエラー訂正、ウェアレベリング、論理-物理アドレス変換、不良ブロックの管理などの制御機能を行い、ユーザーの開発負荷を軽減することが可能です。

また、新製品はJEDEC UFS Ver. 3.0規格に準拠し、消費電力の増加を抑制しながら最大11.6Gbps (2 laneモード設定時では23.2Gbps) のインターフェーススピードを実現するHS-GEAR4に対応しています。512GBの製品では、シーケンシャルリードおよびライト性能は当社前世代製品[注6]と比べてそれぞれ約70%、約80%向上しています。

*本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

[注1] 2019 年 1 月 23 日現在。東芝メモリ株式会社調べ。

[注2] UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。

[注3] 本日から128GBの製品のサンプル出荷を開始し、3月以降順次出荷を拡大していく予定です。なお、サンプル出荷品は量産時と仕様が異なる場合があります。

[注4] 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。(1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。)

[注5] Virtual Reality:仮想現実、Augmented Reality:拡張現実

[注6] 当社前世代256GBの製品「THGAF8T1T83BAIR」

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

東芝メモリ株式会社
販売推進統括部
Tel: 03-6478-2423
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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