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Mémoire flash tridimensionnelle : BiCS FLASH™


La capacité de la mémoire flash en constante augmentation

Toshiba a inventé la mémoire flash NAND en 1987 et a été le premier au monde à lancer sa production en masse en1991. Depuis, Toshiba a augmenté constamment la capacité de la mémoire flash NAND en allégeant les règles de conception et la technologie des procédés.

Cependant, la migration des procédés pose différentes difficultés. Il devient extrêmement difficile d'accroître encore la capacité de la mémoire par la technologie de la mémoire flash NAND planaire conventionnelle.

Pour y remédier, Toshiba a inventé un nouveau procédé consistant à empiler les puces de mémoire flash. En 2007, Toshiba a été le premier au monde*1 à annoncer une technologie d'empilement de mémoire flash tridimensionnelle (3D). La poursuite du développement a permis à Toshiba de créer la mémoire flash 3D. BiCS FLASH™

Applications visées

Avec l'avènement de l'Internet des objets (IoT), de la prolifération des réseaux sociaux et de la production de photos et de vidéos dans une résolution sans cesse croissante, le volume de données généré à travers le monde connaît une croissance exponentielle.
 

Dans le domaine du traitement de l'information, le fonctionnement en temps réel est considéré comme une exigence importante. En effet, d'énormes volumes de données doivent être gérés par les systèmes Big Data ou stockés indéfiniment dans des centres informatiques et des systèmes de services cloud. Dès lors, une grande capacité est impérative pour traiter, stocker et gérer ces énormes quantités de données à grande vitesse et avec une faible consommation d'énergie.

De plus, la demande de supports de stockage basse consommation ne cesse d'augmenter du fait de la prolifération des smartphones, tablettes, cartes mémoire et autres applications sensibles à la consommation.

La mémoire BiCS FLASH, qui offre de nombreux avantages sur la mémoire flash NAND planaire, sera la solution pour répondre aux exigences du marché.

Caractéristiques de la mémoire BiCS FLASH

Densité et capacité élevées

高密度化/大容量化のイメージ

The vertically stacked three-dimensional (3D) flash memory, BiCS FLASH, has far higher die area density compared to the prior state-of-the-art technology, two-dimensional (2D) NAND flash memory. Moreover, BiCS FLASH reduced the chip size by optimizing both circuit technology and manufacturing process. 96-layer BiCS FLASH, which is announced on June 28th, 2017, provides approximately 1.4 times the storage capacity per unit area compared with 64-layer BiCS FLASH.

Rapidité de programmation

高速化のイメージ

Les espaces entre les cellules de mémoire BiCS FLASH sont considérablement plus importants que dans la mémoire flash NAND 2D. L'augmentation de la quantité de données pour une même séquence a permis d'accélérer la programmation.

Fiabilité élevée

信頼性向上のイメージ

Les espaces grand ouverts entre les cellules de la mémoire BiCS FLASH réduisent le couplage de cellules et améliorent la fiabilité par rapport à la mémoire flash NAND 2D.

Faible consommation électrique

低消費電力化のイメージ

L'augmentation de la quantité de données pour une même séquence a permis de réduire la consommation de la mémoire BiCS FLASH pour une même séquence (et d'accélérer la programmation) par rapport à la mémoire flash NAND 2D.

Clips vidéo

  • *1 Depuis le 12 juin 2007 (annoncé par Toshiba)
  • * Tous les autres noms d'entreprise, de produit et de service mentionnés dans les présentes peuvent constituer des marques commerciales de leurs sociétés respectives.

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