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Dreidimensionaler Flash-Speicher: BiCS FLASH™


Weitere Erhöhung der Kapazität von Flash-Speicher

Toshiba erfand den NAND-Flash-Speicher im Jahr 1987 und begann 1991 als erstes Unternehmen mit der Massenfertigung. Seitdem hat Toshiba die Kapazität der NAND-Flashs durch Verkleinerung der Entwurfsregel und des Prozesstechnologieknotens kontinuierlich erweitert.

Allerdings bestehen bei der Prozessmigration verschiedene Herausforderungen. Es ist extrem schwer geworden, die Speicherkapazität mit der konventionellen Planartechnik zu erweitern.

Um dieses Problem zu lösen, hat Toshiba einen neuen Prozess entwickelt, bei dem die Flash-Speicherchips übereinander gestapelt werden. 2007 kündigte Toshiba als weltweit erstes Unternehmen*1 eine dreidimensionale (3D) Stapeltechnik für Flash-Speicher an. Im Rahmen weiterer Entwicklungen veröffentlichte Toshiba den 3D-Flash-Speicher BiCS FLASH™

Einsatzbereiche

Mit dem Einzug des Internets der Dinge (IdD), der Verbreitung sozialer Netzwerke und der Produktion von Fotos und Videos mit immer höherer Auflösung ist die Menge der weltweit erzeugten Daten exponentiell gestiegen.
 

Im Bereich der Informationsverarbeitung gilt Echtzeit-Performance als wichtige Anforderung, da enorme Datenmengen von Big-Data-Systemen verwaltet oder von Rechenzentren und Cloud-Diensten unbegrenzt gespeichert werden müssen. Für die Verarbeitung, Speicherung und Verwaltung großer Datenmengen mit hoher Geschwindigkeit bei geringem Energieverbrauch wird Hochleistungsspeicher benötigt.

Bei Anwendungen wie Smartphones, Tablets und Speicherkarten, bei denen der Energieverbrauch eine Rolle spielt, steigt die Nachfrage nach stromsparenden Speicherlösungen.

BiCS FLASH bietet zahlreiche Vorteile gegenüber Planar-NAND-Flash und wird den Anforderungen des Marktes gerecht.

Merkmale von BiCS FLASH

Hohe Dichte und Kapazität:

高密度化/大容量化のイメージ

The vertically stacked three-dimensional (3D) flash memory, BiCS FLASH, has far higher die area density compared to the prior state-of-the-art technology, two-dimensional (2D) NAND flash memory. Moreover, BiCS FLASH reduced the chip size by optimizing both circuit technology and manufacturing process. 96-layer BiCS FLASH, which is announced on June 28th, 2017, provides approximately 1.4 times the storage capacity per unit area compared with 64-layer BiCS FLASH.

Hohe Programmiergeschwindigkeit

高速化のイメージ

Der Abstand zwischen den Speicherzellen in BiCS FLASH ist wesentlich größer als bei 2D-NAND-Flash-Speicher. Daher konnte die Programmiergeschwindigkeit durch Erhöhung der Datenmenge für einzelne Programmiersequenzen gesteigert werden.

Hohe Zuverlässigkeit

信頼性向上のイメージ

Durch die großen Abstände zwischen den Speicherzellen bei BiCS FLASH wird die Zellkopplung reduziert und die Verfügbarkeit gegenüber 2D-NAND-Flash-Speicher verbessert.

Geringer Energieverbrauch

低消費電力化のイメージ

BiCS FLASH reduziert den Energieverbrauch pro Einheit Programmierdaten durch Erhöhung der Datenmenge für eine einzelne Programmiersequenz (d. h. höhere Programmiergeschwindigkeit) im Vergleich zu 2D-NAND-Flash-Speicher.

Videoclips

  • *1 Seit dem 12. Juni 2007 (verkündet durch Toshiba)
  • Alle anderen in diesem Dokument erwähnten Unternehmensnamen, Produktnamen und Dienstleistungsnamen sind ggf. Marken der entsprechenden Unternehmen.

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